ДМП-1 датчики полупроводниковые

Датчик полупроводниковый ДМП-1 предназначен для использования в составе высокочувствительных индикаторных газоаналитических приборов и служит для обнаружения взрывоопасных газов.

Особенности датчиков ДМП-1: 

• Принцип действия датчика ДМП-1 основан на увеличении проводимости полупроводниковой керамики, находящейся при температуре 400 - 450 ?С в присутствии восстанавливающих газов.
• Минимальные размеры чувствительного элемента датчика позволяют иметь малое энергопотребление (не более 170 мВт) и высокую устойчивость к механическим нагрузкам.
• Оригинальная конструкция (шунтирование платинового нагревателя полупроводниковой керамикой) в высокой степени подавляет влияние температуры анализируемой среды на выходной сигнал датчика и обеспечивает защиту чувствительного элемента от газовых перегрузок.
• Оболочка из пористого титана позволяет обеспечить степень взрывозащиты датчика ExdllCU.
• При питании датчика стабилизированным током выходной сигнал (Uвых) образуется за счет разницы падения напряжения на чувствительном элементе в чистом воздухе (Uв) и газовой среде (Ur).

Основные характеристики полупроводниковых датчиков ДМП-1:

• Рабочий ток, А - 0,12±0,001.
• Напряжение на датчике в воздухе, В - 1,3±0,13.
• Потребляемая мощность, мВт, не более - 170.
• Время срабатывания, с, не более - 15.
• Атмосферное давление, кПа - 84-106,7

Механические нагрузки:

• Синусоидальная вибрация:
  • Диапазон частот, Гц - 5-25.
  • Амплитуда смещения, мм - 0,1.
• Многократный механический удар:
  
  • Длительность ударного импульса, мс - 10.
  • Пиковое ускорение удара, м/с² - 100.
  • Общее число ударов - 1000
• Продолжительность воздействия, ч - 1,5