Тензорезистор Мембрана М
Тензорезистор Мембрана М предназначен для измерения упругих деформаций вновь разрабатываемых материалов и конструкций при статических и динамических нагрузках, а также для измерения сил, ускорения, давлений, перемещения.
Исполнения:
- С1 - без выводов;
- С2 - с нестандартными выводами;
- С3 - без защитного покрытия;
- С4 - без выводов и защитного покрытия;
- С5 - без выводов с облуженными точками.
Область применения
Тензорезисторы применяются в силоизмерительных тензорезисторных преобразователях и датчиках в авиационной, ракетостроительной, машиностроительной, вагоностроительной и других индустриях.
Класс точности: | |
| А |
| Б |
Коэффициент термокомпенсации |
|
| 12 |
| 16 |
| 23 |
| 8,3 |
Допустимое отклонение электросопротивления в партии (10 тыс. штук) | ± 1,0 % |
Допустимое отклонение электросопротивления в группе (100 шт.) | ± 0,2% |
Максимальное значение измеряемой деформации | ± 3000 мкм/м |
Чувствительность | 1,9 – 2,3 |
Номинальное сопротивление, Ом | Номинальная база (длина тензорешетки), мм | |||
5 | 10 | 15 | 20 | |
100 | + | - | - | - |
200 | + | + | + | + |
400 | - | - | + | + |
